收藏本站
MUBW 25-06 A6
Brake Chopper T7, D7
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V CES
V CGR
V GE
I C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C; R GE = 20k W
T VJ = 25°C
T C = 25°C
T C = 90°C
600
600
±20
18
10
V
V
V
A
A
I CM
t p = 1 ms = 1% duty cycle;
T C = 25°C
T C = 50°C
36
20
A
A
t SC
IGBT V CE = 600 V; T VJ = 125°C
non-repetitive
10
μs
P tot
T VJ
T VJ
T C = 25°C
Free-Wheeling Diode
IGBT
61
+150
+150
W
°C
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I CES
I GES
V GE = 0 V; V CE = 600 V
V CE = 0 V; V GE = 25 V
1
100
mA
nA
V GE(th)
V (BR)CES
V CE(sat)
V GE = V CE ; I C = 0.35 mA
V GE = 0 V; I C = 10 mA; T VJ = -40°C
V GE = 15 V; I C = 10 A;T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
4.5
600
5.5
2.1
2.4
6.5
2.5
2.8
V
V
V
V
t f
25
ns
t r
t d(on)
t d(off)
E off
E on
C iss
C oss
C rss
g fs
Q g
V F
t rr
Inductive load, T VJ = 125°C
V CC = 300 V; I C = 10 A
R G = 100 W ; V GE = ±15 V
V GE = 0 V
V CE = 25 V
f = 1 MHz
V CE = 20 V; I C = 10 A
V CC = 300 V; I C = 10 A pulse; V GE = 15 V
I F = 10 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 10 A; V R = -300 V; V GE = 0 V
3
25
35
250
0.38
0.58
570
80
55
39
2
1.8
0.2
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
S
n C
V
V
μs
di F /dt = -350 A/μs; T VJ = 100°C
Q r
I F = 10 A; V R = -300 V; T VJ = 25°C
0.3
μC
I r
di F /dt = -350 A/μs; V GE = 0 V; T VJ = 125°C
0.9
250
μC
μA
R thJC
IGBT
Diode
(per die)
(per die)
1.7
2.3
°C/W
°C/W
? 2000 IXYS All rights reserved
3-8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MUBW25-12A7 CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE
MUBW25-12T7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW30-06A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW30-12A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-12A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW35-12A8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW40-12T7 MODULE IGBT CBI E2
相关代理商/技术参数
MUBW25-06A6K 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW25-12A7 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW25-12T7 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-06A7 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW30-12A6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-12E6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW35-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B